模拟电路中为何低温时载流子迁移率增加？

2026年09月03日 20:51

有2个网友回答

网友（1）：

半导体掺杂浓度不是太高时（小于10的19次方），载流子运动时受晶格散射影响较大，而温度低时，晶格振动较弱，晶格散射作用就小，所以载流子的迁移率较温度高时要大（见《半导体物理学》第四章相关内容）

网友（2）：

对于同一个晶体管，高温时的载流子迁移率永远比低温的时候高，这个是基本定律
那么这句话该如何理解，我的见解是：对于两个不同的晶体管，在同一个比较低的温度下，其中一个在制造时采用了某种工艺使得它在低温时载流子迁移率能够明显高于另一支普通工艺制造的载流子迁移率。
但是我认为这样的工艺在没有成熟之前价值并不大，晶体管发展到现在还在为了消除温漂而不断改进工艺，那么这样的低温时高载流子迁移率的一般价值并不大。