能否用霍耳元件片测量交变磁场

可以。依据霍尔效应原理，UH=KHISB。

即：霍尔电势差UH与电流IS及磁感应强度B成正比。Is为激励电流，是直流电流。KH为灵敏度常数。注意，磁感应强度B是指与激励电流Is方向垂直的磁场分量。

霍尔电势可以实时反映交变磁场的磁感应强度的大小和极性。

霍尔元件由霍尔片、4根引线和壳体组成。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片（一般为4mm×2mm×0.1mm），在它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色导线。

扩展资料：

霍尔效应在磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。

半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈极强的霍尔效应。如果把霍尔元件集成的开关按预定位置有规律地布置在物体上，当装在运动物体上的永磁体经过它时，可以从测量电路上测得脉冲信号。

可以，但是，必须使用霍尔元件的线性区，测量才比较准确。
至于说，为什么，那是因为霍尔元件的输出电压=输入电流*磁场强度，也就是说：磁场强度的改变，必然反映到输出电压上。

能,由于霍耳效应建立的时间很短（约

S），因此使用霍耳元件可以测量交变磁场,只是使用交流电时,所得的霍耳电压也是交变的,式中的I和V应理解为有效值.