四探针法测量电阻率有个非常大的优点,它不需要较准;有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法较准。 与四探针法相比,传统的二探针法更方便些,晶格电子这些都是有的
四探针法测电阻的原理是利用四根等间距配置的探针扎在半导体表面上,由恒流源给外侧的两根探针提供一个适当小的电流I,然后测量出中间两根探针之间的电压V,就可以求出半导体的电阻率。对于厚度为W(远小于长和宽)的薄半导体片,得到电阻率为ρ=ηW(V/I),式中η是修正系数。特别地,对于直径比探针间距大得多的薄半导体圆片,得到电阻率为ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm],其中W用cm作单位。
四探针法测量电阻率有个非常大的优点,它不需要较准;有时用其它方法测量电阻率时还用四探针法较准。 与四探针法相比,传统的二探针法更方便些,晶格电子这些都是有的
大学物理实验中有用双臂电桥测电阻,通常是测量低电阻,双臂电桥有四个测量电极,也可以算是四探针。更一般的四探针法应用更广泛。详细原理可参考:四探针法测电阻率
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