载流子迁移率的单位是什么

c㎡/v·s，载流子迁移率在固体物理学中用于指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。

电子运动速度等于迁移率乘以电场强度，也就是说相同的电场强度下，载流子迁移率越大，运动得越快；迁移率小，运动得慢。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率硅中载流子迁移率随掺杂浓度的变化曲线不同，一般是电子的迁移率高于空穴。

扩展资料：

迁移率决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。对于载流子迁移率已有诸多文章对载流子迁移率的重要性进行了研究 。

迁移率的相关概念在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v 与电场强度E 成正比。

参考资料来源：百度百科-载流子迁移率

载流子的迁移率μ是表征载流子在电场作用下加速运动快慢的一个物理量，等于单位电场作用下的漂移速度：μ=vd/E [cm2/V-s]，E为电场[V/cm]，vd为平均漂移速度[cm/s]。载流子迁移率的大小决定于在运动过程中遭受散射的情况：μ=qt/m*，t是散射时间（等于散射几率的倒数，在简单情况下就是平均自由时间），m*是有效质量，q为电子电荷。注意：由于载流子的平均漂移速度是定向运动，是一它总是小于混乱的热运动速度（室温下载流子的热运动速度大约为107cm/s）。

单位是 m2／Vs 或 cm2／Vs。

cm2/V·s平方厘米每福特秒