Cpu制作工艺中的65nm.45nm. 32nm.22nm.14nm为什么是这几个数据？

你所说的这些尺寸，是半导体工艺中的特征尺寸。在数字电路中，晶体管的栅极走线是最细的，所以用栅极线宽来衡量每一代的水平。理论山，每一代之间本着0.7的比例进行缩小。Intel一直是秉承0.7比例的厂家。而世界第一大Fab——台积电（TSMC）和Intel相比，自90nm之后，会有一个过渡代。特征尺寸并没有行业标准，大家都是在朝更小的方向去做。在数字逻辑电路中，1nm的性能提升很有限。所以，TSMC的28nm工艺和Intel的32nm工艺是在同一代的，尽管28nm看似小于32nm。
另外，在半导体存储器领域，也有特征尺寸，并不是按照0.7的比例缩小的。而且Flash中的晶体管是浮栅管。所以，NAND Flash芯片的制程工艺可比CPU混乱多了。因为我们更关注Flash芯片的单位面积成本，所以哪怕缩小1nm，也能带来成本的下降。你所看见的19nm应该就是英特尔镁光（IMFT）或者SAMSUNG用在Flash芯片上的。
现在关于硅基CMOS数字电路的制程极限，认为在5nm左右。事实上，早在1、2年前，CMOS逻辑的制程发展就已经变得很困难了。目前Intel的Roadmap上，还是能看见9nm产品的计划的。

CPU制造工艺目前CPU制造工艺是22NM最先进，从65纳米提升至22纳米根本原因是能耗于发热问题，于性能无关。
另外若是说为什么，应为CPU制造是流片的形式，这种形式类似流水线，但是良品率高低取决于技术，技术成熟的话14纳米甚至更小的晶体管都可以顺利流片。
另外说一下，现在CPU只有22纳米的流片成功了，不是没有能力做14纳米的，而是技术不成熟，良品率低，14纳米工艺制造的CPU于22纳米相比，最主要的就是能耗的下降，理论上温度也会更低。
相同构架下，使用22纳米于14纳米工艺制造的CPU性能没有任何诧异。

没啥依据，就是制造的时候的工艺，里面的晶体管粗细而已，如果是同样的架构的情况下，更小纳米的CPU会比大纳米的更省电，发热也更小。当然，不是绝对的，比如现在INTEL的32纳米和22纳米，22纳米的是3D晶体管，他是竖起来，之间就挨的太近了，热量散不出，比32纳米的发热反而大，但是功耗比32的小，当然同架构不同纳米，不会有什么性能差距。