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（2013?无锡一模）[物质结构与性质]镓（Ga）、锗（Ge）、砷（As）、硒（Se）均为第4周期的元素，它们在高

（2013?无锡一模）[物质结构与性质]镓（Ga）、锗（Ge）、砷（As）、硒（Se）均为第4周期的元素，它们在高科技尖端科学特别是信息领域有着广泛的用途．已知砷化镓的晶胞结构如图．试回答下列问题：（1）下列说法不正确的是______（填字母）．A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同B．第一电离能：Se＞As＞Ge＞GaC．镓、锗、砷、硒都属于p区元素D．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体（2）砷化镓是将（CH3）3Ga和AsH3反应制备得到，该反应在700℃进行，反应的方程式为______，AsH3空间形状为______．（3）Ge的核外电子排布式为______，H2Se中硒原子的杂化方式为______．（4）AsH3沸点比NH3低，其原因是______．

2026年09月26日 07:03

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网友（1）：

（1）A．GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误；
B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，As的4p能级含有3个电子，为半满稳定状态，第一电离能较高，则第一电离能As＞Se＞Ge＞Ga，故B错误；
C．镓、锗、砷、硒的外围电子分别为4s²4p¹、4s²4p²、4s²4p³、4s²4p⁴，都属于p区元素，故C正确；
D．GaP的价层电子为3+5=8，SiC的价层电子为4+4=8，GaAs价层电子数为3+5=8，则为等电子体，故D正确；
故答案为：AB；
（2）反应为（CH₃）₃Ga和AsH₃，生成为GaAs，根据质量守恒可知还应有和CH₄，反应的化学方程式为：（CH₃）₃Ga+AsH₃

700℃

GaAs+3CH₄，
AsH₃中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，
故答案为：（CH₃）₃Ga+AsH₃

700℃

GaAs+3CH₄；三角锥；
（3）Ge的原子序数为32，核外电子排布式为1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²，SeH₂中Se形成2个δ键，有2对孤电子对，为sp³杂化，故答案为：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p²；sp³；
（4）N原子半径较小，电负性较大，对应的NH₃分子间能形成氢键，沸点较高，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键，沸点较低，
故答案为：NH₃分子间能形成氢键，而As电负性小，半径大，分子间不能形成氢键．