在理想二极管电路中,已知输入电压ui=10sinwtV 试画出电压u0的波形

输入电压高于5V时二极管导通，U0波形与输入波形相同。其余时刻二极管截止，U0为5V。

只有在输入电压高于5V时二极管才能够导通，U0波形与输入波形相同，其余时刻二极管截止，U0大于5V。

理想二极管：就是正向压降为0，反向漏电流为0的二极管，这种二极管只存在于理论研究中。理想二极管是一种假设，根据题目要求假设，如为没有压降，没有损耗，反向不会击穿等理想状态。而实际二极管是达不到的。目的是为了突出重点，去除次要问题。

把二极管看成理想二极管（忽略压降）。

ui小于5V的时候，二极管截止，uo=5V；

ui大于5V的时候，二极管导通，uo=ui；

扩展资料：

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。

外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。

参考资料来源：百度百科-二极管