朱建军的科研经历

参与研制国内首台能同时生长3C-SiC和厚膜GaN材料的高温CVD/HVPE复合淀积系统。在其基础上完成了自然科学基金项目“蓝色发光二极管用SiC 材料生长的基础研究”。承担中国科学院应用研究与发展重点项目“GaN/SiC/Si 异质外延材料的生长与研究”以及863 项目“高亮度蓝光、绿光LED 的产品开发和规模化生产关键技术的研究”中“氮化物立方GaN 蓝、绿光发光器件研制与产品开发”子课题，并顺利完成。参与和承担“氮化镓激光器”、“氮化镓紫外探测器”“GaN/Si基材料生长与研究”等多项863 项目的研究，主要从事GaN/Si(111)材料、GaN/Al2O3、AlGaN/GaN 超晶格材料以及InGaN/GaN 量子阱的生长与分析。把质量管理中常用的试验设计方法引入到GaN基材料与器件结构的外延生长，成功制备了GaN 基激光器结构外延片；在此基础上中科院半导体所实现了中国大陆第一只GaN基脉冲激射和室温连续工作激光器的成功研制。承担863项目“高效大功率半导体灯用近紫外LED生产技术研究”，顺利完成。承担自然科学基金项目“AlInN 材料的MOCVD 生长与应用研究”（批准号 60576003，2006,1-2008,12），顺利完成，最终评定结果为优承担中科院重大科研装备研制项目“III族氮化物生长用原子层化学气相淀积系统”，设计并研制成功了兼具原子层外延和MOCVD外延优点的外延生长系统，尤其适合于生长高Al组份的三族氮化物，顺利通过中科院专家组的验收。参与创建苏州纳维科技有限公司，主要负责HVPE设备的设计、研制以及HVPE生长工艺的开发。主持设计了水平和垂直两种HVPE生长设备，成功用于GaN自支撑衬底的生长。